رونمایی از معماری انقلابی ترانزیستور ۷ آنگسترومی IBM با نانوورقه‌های پلکانی

کمپانی IBM از ساختار نوآورانه ترانزیستور رونمایی کرده است که در آن از نانوورقه‌هایی با چیدمان زاویه‌دار پلکانی (طرح سفالی) استفاده می‌شود. این چیدمان فضایی نوین اجازه می‌دهد تا چگالی ترانزیستورها در یک تراشه تا ۵۰ درصد افزایش یافته یا بازدهی مصرف انرژی تا ۷۰ درصد ارتقا یابد. همچنین این معماری منجر به بهبود ۴۰ درصدی فرآیند مقیاس‌دهی حافظه‌های SRAM (که نقشی حیاتی در کاهش تأخیر سیستم‌های پردازشی دارند) نسبت به معماری حافظه‌های پهنای باند بالا (HBM) می‌شود. تولید انبوه این فناوری تا سال ۲۰۳۱ برنامه‌ریزی شده است. اهمیت این خبر برای مهندسان مواد فعال در حوزه میکروالکترونیک، در تغییر رادیکالی نوع لایه‌های نازک هادی و عایق نهفته است. در مقیاس‌های زیر نانومتری ، پدیده‌هایی نظیر مهاجرت اتمی (Electromigration) و نشت جریان از گیت دی‌الکتریک به شدت تشدید می‌شوند. این معماری مهندسان را ملزم به توسعه آلیاژهای فوق‌پایدار نانومتری به عنوان موانع نفوذ (Diffusion Barriers) و استفاده از مواد پیشرفته با ثابت دی‌الکتریک بالا (High-k) به منظور حفظ یکپارچگی فیزیکی تراشه‌ها می‌کند.